

IRLML6302GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:780mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:97pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML6302GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:780mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:97pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML6302GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:780mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:97pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML6302TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:780mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.45V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:97pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML6302TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:780mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.45V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:97pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML6302TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:780mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.45V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:97pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165TFBGA
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 2M
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
- AC DC 桌面、壁式变压器 Iccnexergy 5AG,10mm x 38.1mm PWR SUPP DESKTOP 24V 18W
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 74.25 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 7.1PF 50V T2H 0402
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 77.76 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 7.2PF 50V T2H 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
- AC DC 桌面、壁式变压器 Iccnexergy 5AG,10mm x 38.1mm PWR SUP DESKTOP 9V 30W