

IRLML5103GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:760mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML5103GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:760mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML5103GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:760mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML5103TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:760mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML5103TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:760mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML5103TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:760mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE TVS 1500W 5V UNI DO-201AD
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-DIP(0.600",15.24mm) IC VOICE REC/PLAY 8-16MIN 28DIP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.63V SOT23-3
- TVS - 其它复合 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDAC SLIC UNI 65V 150A DO-214AA
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK NICAD 7.2V 300MAH
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE TVS 1500W 12V UNI DO-201AD
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 8-16MIN 28SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDACTOR UNI 65V 500A DO214 2L
- PMIC - 监控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLT MONITR SGL 2.19V SOT23-5
- AC DC 转换器 Power-One DO-201AD,轴向 PWR SUP QUAD OUT +5,+3.3,12,12V
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK NICAD 2.4V 300MAH