IRL1404Z详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL1404ZL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRL1404ZLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRL1404ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL1404ZS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL1404ZSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 其它 Illumra RADIO LINK TESTER 315MHZ
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 保险丝座 Cooper Bussmann FUSEHLDR 3POS SHORT LEAD FOR GMT
- 红外发射器，UV 发射器 Everlight Electronics Co Ltd 2-SMD，鸥翼型 LED IR 1.9MM RND SUBMINI GULLWIN
- 光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Intersil 6-WDFN 裸露焊盘 IC PHOTO DETECTOR AMBIENT 6ODFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 International Rectifier 6-MLPM IC REG LDO 3.3V 1A 6-MLPM
- FET - 单 International Rectifier * MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENS OPTO REFL 500MM PREWIRE MOD
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 过时/停产零件编号 International Rectifier BOARD CONTROL FOR IR1150S
- 光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Intersil 8-WDFN 裸露焊盘 IC SENSOR AMB LGT-DTGL I2C 8ODFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 International Rectifier 6-MLPM IC REG LDO 3.3V 1A 6-MLPM
- FET - 阵列 International Rectifier 18-PowerVQFN MOSFET N-CH DUAL 30V 5X6 PQFN
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENS OPTO REFL 500MM PREWIRE MOD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V DPAK
010-62962871、 
0755-88291559 
0755-22655674 
0755-82731800 
0755-23915992 
0755-83231869 
0755-88917652 
0512-67241533 
0755-83951431 
0755-82561519 
0755-82578309 
19129493510 
0755-22929859 
17876146278/1 
