IRFW630BTM_FP001的供应信息|PDF资料|求购IRFW630BTM

IRFW630BTM_FP001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 25V; 功率_最大：3.13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

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固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
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热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
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配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
FDS6682
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
IRFZ14STRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
ISC1812ESR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
GJM0335C1E5R3BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201