IRFS3207PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7600pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFS3207TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7600pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRFS3207TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7600pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFS3207TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7600pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRFS3207ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.1 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6920pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFS3207ZTRRPBF详细规格
- 类别：其它
- 描述：MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列：*
- 制造商：International Rectifier
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005（0402 公制） CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048S/H9992TR 6"
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065S/X 2"
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005（0402 公制） CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8SOIC
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065A/X 3"
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- 延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER SS MINI 4PDT 1SECOND
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005（0402 公制） CAP CER 1000PF 6.3V X5R 01005
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DVR HALF BRIDGE HV HS 8-SOIC
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065V/X 3"
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048V/H9992TR 6"
0755-22655674 
13510131896 
0755-82723761 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-83231869 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-22929859 
18922805453 
0755-23607529 
755-83206150/ 
0755-22655674 
