

IRFS3207PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRFS3207TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRFS3207TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFS3207TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRFS3207ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:120A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.1 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6920pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRFS3207ZTRRPBF详细规格
- 类别:其它
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:International Rectifier
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048S/H9992TR 6"
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065S/X 2"
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8SOIC
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065A/X 3"
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- 延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER SS MINI 4PDT 1SECOND
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 1000PF 6.3V X5R 01005
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DVR HALF BRIDGE HV HS 8-SOIC
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065V/X 3"
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048V/H9992TR 6"