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IRFR9210TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR9210TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

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