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IRFR9010TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR9010TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR9010TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR9010TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR9010TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR9010TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR812TRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSF N CH 500V 3.6A DPAK
PBSS306PX,115
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 100V 3.7A SOT-89
P1330-154K
固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR POWER 150.0UH SMD
PCA8536BT/Q900/1,1
PMIC - 显示器驱动器 NXP Semiconductors 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC LCD DRIVER LOW MPLEX 56TSSOP
NZH6V2B,115
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 500MW 6.2V SOD123
OSTVJ092150
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5.08MM 9POS PCB
P50-060DDS-TG
矩形 - 自由悬挂，面板安装 3M 钮扣电池 CONN SOCKET 60POS I/O .050" GOLD
OSTYK50513130
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 13CIRC 9.50MM
PBSS3515E,135
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-75，SOT-416 TRANSISTOR PNP 15V SC75
PCA8574TS,118
接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC I/O EXPANDER I2C 8B 20SSOP
NZH6V2B,115
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 500MW 6.2V SOD123
OSTVJ092151
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5.08MM 9POS PCB
P50-060P-R1-EA
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M 钮扣电池 CONN PLUG 60POS STR .050" GLD
IRF830STRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
OSTYK50514330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 14CIRC 9.50MM

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