

IRFR4105详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR4105PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR4105TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4105TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4105TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR4105TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR24S/AE24M/HKR24S
- 按钮 APEM Components, LLC SWITCH PUSH SPST-NO 2A 250V
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 保险丝座 Cooper Bussmann FUSEBLOCK 3POS 2 X 4.9" CLASS H
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 11PF 50V 5% NP0 0603
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26S/AE26M/HKR26S
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP(0.300",7.62mm) ISOLAT 3.75KVRMS 1CH UNIDIR 8DIP
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26S/AE26M/HKR26S
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鸥翼形 CHOKE COMMON MODE 120MHZ SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 12PF 50V 5% NP0 0603
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 ISOLAT 3.75KVRMS 1CH UNIDIR 8SMD
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR30S/AE30M/HKR30S
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 16-VFQFN 裸露焊盘 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ