IRFR3710ZTR的供应信息|PDF资料|求购IRFR3710ZTR上51电子网

IRFR3710ZTR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3710ZTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3710ZTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3710ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR3710ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR3710ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

LBM2016T8R2J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 8.2UH 5% 0806
K331K15X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
JMK316B7226ML-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X7R 1206
K472J20C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 50V 5% RADIAL
IRFR3710ZTR
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
K8AB-AS1 200/230VAC
电流/电压监视器 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY CURRENT MONITOR 2-500MA
LBM2016T8R2J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 8.2UH 5% 0806
K331K15X7RH5TK2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
JMK316BJ106KD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 1206
K8AB-VS1 100/115VAC
电流/电压监视器 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY MONITOR VOLT 60-150MV 120V
LBM2016TR12J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.12UH 5% 0806
K331K15X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
JMK316BJ106KD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 1206
K472J20C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V 5% RADIAL
IRFR3711TR
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

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