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IRFR2905ZTR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR2905ZTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR2905ZTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR2905ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR2905ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR2905ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

OSTVG080100
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK PLUG 8POS 5MM
P-11AAHF4
电池组 Panasonic - BSG 非标准 BATTERY PK 4.8V 110 MAH NICAD
IRFR24N15DTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
NX8045GB-27.000000MHZ
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 27.000000 MHZ 8PF SMD
OSTKH201550
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.62MM 20POS
OSTYK44106030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 6CIRC 9.50MM
PBPS19010CG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X10.5X0.07" BE/GY
P4SMA36CAHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 400W 36V 5% BIDIR SMA
OSTVG100100
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK PLUG 10POS 5MM
OSTKH210550
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 6.35MM 21POS
NX8045GB-30.000000MHZ
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 30.000000 MHZ 8PF SMD
OSTYK44115030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
PBPS19015BK2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X15.7X0.07" BLACK
OSTVG180100
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK PLUG 18POS 5MM
P4SMA39A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 39V UNI 5% SMD

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