IRFR1N60ATRL 全国供应商、价格、PDF资料

IRFR1N60ATRL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V

功率_最大：36W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：带卷 (TR)

IRFR1N60ATRLPBF详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V

功率_最大：36W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：带卷 (TR)