IRFP440详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 5.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP440PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 5.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP4410ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：97A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 58A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4820pF @ 50V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247AC
- 包装：散装
IRFP4468PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：195A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 180A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：540nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：19860pF @ 50V
- 功率_最大：520W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247AC
- 包装：管件
IRFP448详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 6.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：180W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP448PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 6.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：180W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，导线引线，带连接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 ESD 8SOIC
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，导线引线，带连接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 TXRX ESD 3.3V RS-485/422 10-DFN
0755-83202411 
0531-88891493 
0755*83682918 
0755-82525087 
0755-23051326 
755-88608527（ 
075584505750 
755-83252273 
0755-82578309 
0755-82561519 
0755-88291559 
0512-67241533 
18927479189 
0755-82524712 
0755-28904429 
755-83241160（ 
