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IRFD010详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 860mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包装：管件

IRFD010PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 860mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包装：管件

IRFD014详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包装：管件

IRFD014PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包装：管件

IRFD020PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包装：管件

IRFD024详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包装：管件

IDT72235LB25JI
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC（J 形引线） IC FIFO 2048X18 SYNC 25NS 68PLCC
ISL88002IH17Z-T7A
PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 1.67V SOT23-3
IXFN82N60P
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
IRFD010PBF
FET - 单 Vishay Siliconix 4-DIP（0.300"，7.62mm） MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
IDT70825S20PF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP
CV500-BSC31
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BASIC MOD RAM 2-232 1-PARALLEL
ISL95838HRTZ-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 40-WFQFN 裸露焊盘 IC PWM CTLR DUAL 3+2 40-TQFN
IXFP12N50P
FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
ISL88002IH23Z-T
PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.32V SOT23-3
IXFP14N60P
FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
IDT72235LB25PF
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 25NS 68PLCC
ISL96017UIRT8Z-T
数据采集 - 数字电位器 Intersil 8-WDFN 裸露焊盘 IC XDCP 128-TAP 50KOHM 8-TDFN
CV500-BSC41
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BASIC MOD EEPROM 2-232 1-PAR.
IXFP180N10T2
FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
ISL88002IH23Z-T7A
PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.32V SOT23-3

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