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IRFBA90N20DPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：98A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 59A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6080pF @ 25V; 功率_最大：650W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：Super-220?-3（直引线）; 供应商设备封装：SUPER-220?（TO-273AA）; 包装：管件

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IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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