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IRF9Z34NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF9Z34NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF9Z34NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

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IRF9Z34NSTRLPBF 深圳市煦洪科技有限公司 18820154873
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IRF9Z34NSTRLPBF 深圳宇邦高科技有限公司 15899765957 1
IRF9Z34NSTRLPBF 深圳市众诚发电子有限公司 0755-83231869
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IRF9Z34NSTRLPBF
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时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 52-LQFP IC PLL CLK GEN 1:12 3.3V 52-LQFP
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TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDACTOR 420V 500A PROT 6-SOICW
PCA9535HF,118
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OP231
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