IRF7406GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 2.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7406GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 2.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7406GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 2.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7406PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 2.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7406TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 2.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7406TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 2.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：59nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
- 线性 - 音频处理 Texas Instruments 32-TQFP IC DAC 16BIT STEREO W/USB 32TQFP
- 蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZER MAGN 2.3KHZ 9MM PC MT
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC I/O EXPANDER I2C 8B 16TSSOP
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 TT Electronics/Optek Technology 1210（3225 公制） PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 18 AWG 2C SOLID BC .009" SGPVC
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 62K OHM 1/4W 5% CARBON FILM
- 线性 - 音频处理 Texas Instruments 32-TQFP IC DAC 16BIT STEREO W/USB 32TQFP
- 扎带 3M TIE WIRE 12" BLACK 50LB
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 18 AWG 2C SOLID BC .009" SGPVC
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 TT Electronics/Optek Technology 径向 PHOTOTRNSISTR NPN 935NM SIDELOOK
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 68K OHM 1/4W 5% CARBON FILM
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC STEREO AUD CODEC W/USB 28SSOP
- 按钮 Electroswitch SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
- 接口 - I/O 扩展器 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC I/O EXPANDER I2C 8B 16TSSOP
0755-22655674 
13510131896 
755-83241160（ 
0755-88291559 
0755-82574045 
0755-82522939 
755-83252273 
0755-83231869 
0755-82170267 
010-62962871、 
075582788161 
0755-23915992 
19520735817/1 
13681678667 
19129493510 
