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IRF7353D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7353D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7353D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

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