

IRF6635TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6635TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6635TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:Digi-Reel®
IRF6635TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6635TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6635TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS DIP .156 SLD
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 100UH 5% 1210
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 8.192MHZ 3.3V SMD
- 配件 Microchip Technology BOARD EVAL PSRR/DIGITAL NOISE
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TRANSCEIVER 8-MSOP
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 10MHZ 3.3V SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
- 线槽,走线系统 - 附件 Panduit Corp FITTING OUT VERT 45DEG YEL 4X4
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .100 SLD
- 配件 Microchip Technology BOARD EVAL PSRR/DIGITAL NOISE
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC LINEAR
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1210