IRF5800详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：管件
IRF5800TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：带卷 (TR)
IRF5800TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：带卷 (TR)
IRF5800TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：剪切带 (CT)
IRF5800TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：Digi-Reel®
IRF5801TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：600mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 360mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div ETHERNET NET MODULE FORCS1
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） INTELLIGENT POWER SW 2CH 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 12A SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CS1D DUAL IO CONTROL UNIT
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CS1D DUAL IO CONTROL UNIT
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CS1D DUAL IO CONTROL UNIT
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div POWER SUPPLY FOR CS1 DUPLEX
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24VDC POWER SUPPLY
- 箱 Bud Industries TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA BOX ALUM 10.79X6.81X3.94" NAT
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 10A SMD
- FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
755-83252273 
0755-82561519 
18820154873 
0755-88291559 
0512-67241533 
0755-83987779 
0755-83202411 
0755-82561519 
0755-82561519 
075582788161 
755-83241160（ 
0755-83777607 
17302677633 
13410941925 
0755-23991909 
0755-66887761 
