IRF510L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 4.7UH 10% 1812
- PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Intersil 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC REG TRPL BUCK/LINEAR 24QSOP
- FET - 单 IXYS TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
- 晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF 49US
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG LDO 3.3V .2A 8-MSOP
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 EVALUATION BOARD FOR ISL6455
- 晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG LDO 5V .2A 8-MSOP
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF SMD
- FET - 单 IXYS TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
0755-82561519 
0755-82561519 
15112667855 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-22929859 
0755-83777708 
0755-83231869 
0755-89697985 
0755-88291559 
755-83252273 
0755-82569753 
010-62962871、 
