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IRF3805STRL-7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

IRF3805STRL-7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：剪切带 (CT)

IRF3805STRL-7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 140A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7820pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：Digi-Reel®

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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 EYELET
IRF7503TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8