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IRF3707ZCL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3707ZCLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3707ZCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707ZCSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707ZCSTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3707ZCSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF7425TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
H2AXT-10108-Y8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3048Y/X 8"
IRF3704ZCLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
FFVS6C0306K--
薄膜 AVX Corporation 径向，Can - 螺丝端子 CAP FILM 30UF 900VDC SCREW
H8MMH-6036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60M/HDM60H
H2BXG-10105-R6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049R/X 5"
H2AXT-10110-Y6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3049Y/X 10"
IRF7433TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
GT1-TS04T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS
FFVS6C0656K--
薄膜 AVX Corporation 径向，Can - 螺丝端子 CAP FILM 65UF 900VDC SCREW
H8MMH-6436M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM64H/AE64M/HDM64H
H2BXG-10105-W8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048W/X 5"
H2AXT-10110-Y8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3048Y/X 10"
IRF7433TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
GT1-TS04T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS

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