IRF3704STR 全国供应商、价格、PDF资料
IRF3704STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V
- 功率_最大：87W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3704STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V
- 功率_最大：87W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRF3704STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V
- 功率_最大：87W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3704STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V
- 功率_最大：87W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRF3704STRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V
- 功率_最大：87W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3704STRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V
- 功率_最大：87W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC LINEAR
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT UFAST 600V 14.0A TO-220AB
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 EMMITER ONLY FOR THROUGH BEAM
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 3V .15A SC70-5
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRAKT M5 WASH/NUT FOR E39-R1
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC LINEAR
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH W/DIO 600V 14A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRAKT M5 WASH/NUT FOR E39-R1
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 - 4 引线 VERTICAL MOUNT INDUCTORS
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.5V .15A 6-UTDFN
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC LINEAR
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT ULT FAST 600V 14A D2PAK
0755-88917652 
0755-82569753 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-82723761 
0755-82723761 
0755-22929859 
18913062888 
0755-82561519 
13510131896 
0755-18503085 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83777708 
