

HUF75321D3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:93W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
HUF75321D3S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:93W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
HUF75321D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:93W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:剪切带 (CT)
HUF75321D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:93W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:Digi-Reel®
HUF75321D3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:93W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:带卷 (TR)
HUF75321P3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 35A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:93W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 线性 - 视频处理 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TQFP 裸露焊盘 IC TIME CODE RCVR/GEN 44-TQFP
- 二极管,整流器 IXYS 模块 DIODE RECT MOD 14000V 1.7A HTZ
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP
- LED 电源 Thomas Research Products LED DRIVER 60W 24V 90-305
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 72KBIT 20NS 80TQFP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 32768X18 LP 15NS 64-TQFP
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLK BUFFER PLL HI DRV 8-SOIC
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC BUS SWITCH 8BIT 20-QSOP
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK BUFFER 1:4 140MHZ 8-TSSOP
- PMIC - LED 驱动器 STMicroelectronics 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LED DRIVR WHT BCKLT 24-VFQFPN
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLK BUFFER PLL HI DRV 8-SOIC
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 72KBIT 12NS 80TQFP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 32768X18 LP 20NS 64-TQFP
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC BUS SWITCH 8:1 HI 16-QSOP
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLOCK BUFFER 3.3V ZD 16-SOIC