GSOT24C-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：24V
- 电压_击穿：27V
- 功率333W444：235W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：Digi-Reel®
GSOT24C-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：24V
- 电压_击穿：27V
- 功率333W444：235W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
GSOT24C-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：24V
- 电压_击穿：27V
- 功率333W444：235W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：剪切带 (CT)
GSOT24C-HT3-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 24V LLP75
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：24V
- 电压_击穿：27V
- 功率333W444：235W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDFN
- 供应商器件封装：LLP75-3B
- 包装：带卷 (TR)
GSOT24-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 1LINE 24V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：24V
- 电压_击穿：27V
- 功率333W444：235W
- 极化：单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
GSOT24-HT3-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：24V
- 电压_击穿：27V
- 功率333W444：235W
- 极化：单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDFN
- 供应商器件封装：LLP75-3B
- 包装：带卷 (TR)
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1812
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 100V
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-EMC Div RELAY SAFETY 6PST 6A 24V
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812
- 电源输入 - 输入端，输出端，模块 Schurter Inc 3-WDFN GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-EMC Div RELAY SAFETY 4PST 6A 24V
0755-83987779 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-23612326 
0755-83244680 
0755-82865294 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
15112667855 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83268779 
0755-82574045 
