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» 型号"GRM21B7U1H332JZ01L"的供应信息
GRM21B7U1H332JZ01L 全国供应商、价格、PDF资料
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GRM21B7U1H332JZ01L详细规格
类别:陶瓷
描述:CAP CER 3300PF 50V 5% U2J 0805
系列:GRM
制造商:Murata Electronics North America
电容:3300pF
电压_额定:50V
容差:±5%
温度系数:U2J
安装类型:表面贴装,MLCC
工作温度:-55°C ~ 125°C
应用:通用
额定值:
封装/外壳:0805(2012 公制)
尺寸/尺寸:
高度_座高(最大):
厚度(最大):
引线间隔:
特点:
包装:带卷 (TR)
GRM21B7U1H332JZ01L详细规格
类别:陶瓷
描述:CAP CER 3300PF 50V 5% U2J 0805
系列:GRM
制造商:Murata Electronics North America
电容:3300pF
电压_额定:50V
容差:±5%
温度系数:U2J
安装类型:表面贴装,MLCC
工作温度:-55°C ~ 125°C
应用:通用
等级:-
封装/外壳:0805(2012 公制)
大小/尺寸:0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
高度_安装(最大值):-
厚度:
厚度(最大值):0.053"(1.35mm)
引线间距:-
特性:-
包装:带卷 (TR)
故障率:
GRM21B7U1H332JZ01L供应商
GRM21B7U1H332JZ01L
北京显周科技有限公司
13910052844(微
GRM21B7U1H332JZ01L
北京人上科技有限公司
13910052844(微
GRM21B7U1H332JZ01L
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多GRM21B7U1H332JZ01L的供应商
IF-C-S4
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IDT70T24L20BF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LFBGA IC SRAM 64KBIT 20NS 100FBGA
IDT72T3665L5BB
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 4096X36 5NS 208-BGA
GRM21B6T2A620JD01L
陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 62PF 100V 5% T2H 0805
IDT72211L10PFG8
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IDT6116LA25SOG
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PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD IC REG LDO 2.5V .5A P-PAK
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IDT72T3665L5BBI
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IDT6116LA35SOG8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC
IDT72T3665L6-7BB
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 4096X36 6-7NS 208-BGA
IDT70T24L25PFI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 64KBIT 25NS 100TQFP
IF-C-U1000
光纤 Industrial Fiberoptics FIBER UNJACKETED 1000UM .040"1M
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