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FQD19N10LTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD19N10LTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：剪切带 (CT)

FQD19N10LTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：Digi-Reel®

FQD19N10LTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：带卷 (TR)

FQD19N10TF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD19N10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD17P06TF
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
CMF501K9600FKRE
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1.96K OHM 1/4W 1% AXIAL
GRM0335C1E910JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 91PF 25V 5% NP0 0201
GLZ52W
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
FRM3WSJR-73-220R
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSE METAL 220 OHM 3W 5%
FA1-NDSJ-C09-0
同轴，RF Amphenol-RF Division 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN JACK FAKRA .057 OD CABLE
FQD17P06TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
CMF501M0000GKR6
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1M OHM 1/4W 2% AXIAL
GRM0335C1E9R0DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 9PF 25V NP0 0201
FRM-50GR-52-270R
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSE METAL 270 OHM 1/2W 2%
GLZ52W
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
GRM0335C1E9R0DD01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 9PF 25V NP0 0201
CMF501M4700FLEK
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1.47M OHM 1/4W 1% AXIAL
FA1-NESJ-C01-6
同轴，RF Amphenol-RF Division 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN JACK FAKRA RG-174/316
FQD1N50TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

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