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DTC144EEBTL详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-89，SOT-490; 供应商设备封装：EMT3F; 包装：带卷 (TR)

DTC144EEBTL详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-89，SOT-490; 供应商设备封装：EMT3F; 包装：剪切带 (CT)

DTC144EEBTL详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-89，SOT-490; 供应商设备封装：EMT3F; 包装：Digi-Reel®

DTC144EET1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BIAS NPN 50V SOT416; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-75，SOT-416; 供应商设备封装：SC-75，SOT-416; 包装：剪切带 (CT)

DTC144EET1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BIAS NPN 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-75，SOT-416; 供应商设备封装：SC-75，SOT-416; 包装：Digi-Reel®

DTC144EET1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BIAS NPN 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-75，SOT-416; 供应商设备封装：SC-75，SOT-416; 包装：剪切带 (CT)

D4C-9
配件 Electroswitch WAFER SW 6P-2POS NON-SHORT
CMF5557K600DHR6
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 57.6K OHM 1/2W .5% AXIAL
D-SCE-1K-38-50-9
标签，标记 TE Connectivity * HEAT SHRINK SLEEVE MARKER
DTC143ZMT2L
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3
DF14A-8P-1.25H(26)
矩形- 接头，公引脚 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER 8POS 1.25MM R/A SMD
ECG.2B.312.CYM
连接器，互连器件 LEMO RECPT W.NUT CDG 12CTS
E32-T223R 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR FIBER THROUGH BEAM
DRT2-OD16TA-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 3-TIERDRT2 16PT.PNP OUTTERMBLK
D4C-9
配件 Electroswitch WAFER SW 6P-2POS NON-SHORT
D-SCE-1K-4.8-50-9
标签，标记 TE Connectivity * HEAT SHRINK SLEEVE MARKER
ECG.2B.318.CLV
连接器，互连器件 LEMO RECPT W.NUT CDG18CTS
DF14A-8P-1.25H(50)
矩形- 接头，公引脚 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER 8POS 1.25MM R/A SMD
DRT2-OD16TA-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 3-TIERDRT2 16PT.PNP OUTTERMBLK
E32-T22B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR FIBER THROUGH BEAM
D4C-9
配件 Electroswitch WAFER SW 6P-2POS NON-SHORT

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