DTC143ZCA-TP详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Micro Commercial Co
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：-
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
DTC143ZEBTL详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-89，SOT-490
- 供应商设备封装：EMT3F
- 包装：剪切带 (CT)
DTC143ZEBTL详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-89，SOT-490
- 供应商设备封装：EMT3F
- 包装：带卷 (TR)
DTC143ZEBTL详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-89，SOT-490
- 供应商设备封装：EMT3F
- 包装：Digi-Reel®
DTC143ZET1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 4.7/47K SC75-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-75，SOT-416
- 供应商设备封装：SC-75，SOT-416
- 包装：带卷 (TR)
DTC143ZET1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 4.7/47K SC75-3
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-75，SOT-416
- 供应商设备封装：SC-75，SOT-416
- 包装：Digi-Reel®
- DIP APEM Components, LLC 18-VFDFN PIANO STYLE DIP SWITCH
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 44-VFTLA 裸露焊盘 DSC 16BIT 32KB FLASH 44VTLA
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OP AMP TRPL CURR FDBK 16-SOIC
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC ECONORST DUAL ACT LO PP 8SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 20NS 8-SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DSPIC MCU/DSP 32K 28SOIC
- 固态 Crydom Co. 模块 SSR IP00 280VAC/10A 21-27VDC
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR BIPO PNP 50V SOT-223
- 固态 Crydom Co. 模块 SSR IP00 280VAC/20A 10-14VDC
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 44-TQFP IC DSPIC MCU/DSP 32K 44TQFP
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 30NS 8-SOIC
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MICROMAN 3.3V ACT LO 10%8SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 4.7/47K SOT-723
0755-82723761 
0755-83202411 
0755-82723761 
0755-83244680 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
075584505750 
0755-23613962 
0755-23140719 
0755-83777607 
0755-83291010 
