BZX884-B68 全国供应商、价格、PDF资料
BZX884-B68,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 68V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:68V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 47.6V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:240 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:剪切带 (CT)
BZX884-B68,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 68V 250MW SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:68V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 47.6V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:240 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:带卷 (TR)
BZX884-B68,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 68V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:68V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 47.6V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:240 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:Digi-Reel®
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3600PF 2.5KVDC RADIAL
- 矩形 CW Industries 径向 DIP CABLE - CDR24G/AE24M/X
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC MCU 8BIT 16KB FLASH 24QSOP
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 51V SOD882
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 6PF 400V RADIAL
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 2.7UF 10V 10% X7R 1206
- 矩形 CW Industries 1206(3216 公制) DIP CABLE - CDR16S/AE16G/X
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC MCU 8BIT 16KB FLASH 24QSOP
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 6PF 400V RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 2.7UF 10V 10% X7R 1206
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB
- 矩形 CW Industries TO-220-3 DIP CABLE - CDR40S/AE40G/X
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL