BZX884-B47 全国供应商、价格、PDF资料
BZX884-B47,315详细规格
- 类别：单二极管/齐纳
- 描述：DIODE ZENER 250MW 47V SOD882
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 电压_齐纳（标称）333Vz444：47V
- 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电：50nA @ 32.9V
- 容差：±2%
- 功率_最大：250mW
- 阻抗（最大）333Zzt444：170 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOD-882
- 供应商设备封装：SOD-882
- 包装：剪切带 (CT)
BZX884-B47,315详细规格
- 类别：单二极管/齐纳
- 描述：DIODE ZENER 250MW 47V SOD882
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 电压_齐纳（标称）333Vz444：47V
- 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电：50nA @ 32.9V
- 容差：±2%
- 功率_最大：250mW
- 阻抗（最大）333Zzt444：170 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOD-882
- 供应商设备封装：SOD-882
- 包装：Digi-Reel®
BZX884-B47,315详细规格
- 类别：单二极管/齐纳
- 描述：DIODE ZENER 47V 250MW SOD882
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 电压_齐纳（标称）333Vz444：47V
- 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电：50nA @ 32.9V
- 容差：±2%
- 功率_最大：250mW
- 阻抗（最大）333Zzt444：170 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOD-882
- 供应商设备封装：SOD-882
- 包装：带卷 (TR)
- 矩形 CW Industries 径向，圆盘 DIP CABLE - CDR16G/AE16M/X
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 1300PF 2.5KVDC RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 16K FLASH 32VQFN
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 3V 250MW SOD882
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 2.7UF 6.3V 5% X7R 1206
- FET - 单 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
- 陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 6PF 400V RADIAL
- 矩形 CW Industries 径向，圆盘 DIP CABLE - CDR24G/AE24G/X
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.13UF 2.5KVDC RADIAL
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V SOT428
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 2.7UF 25V 10% X5R 1206
- 矩形 CW Industries 1206（3216 公制） DIP CABLE - CDR24G/AE24M/X
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 1800PF 2.5KVDC RADIAL
- 通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Silicon Laboratories Inc 径向 BOARD EVAL C8051F800
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 4.3V SOD882
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-83223003 
0755-89697985 
0755-83291010 
021-51097965 
0755-82723916 
0755-22929859 
010-62962871、 
0755-83039139 
0755-82731800 
