BZX585-B3V9 全国供应商、价格、PDF资料
BZX585-B3V9,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.9V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.1V @ 100mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:300mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:90 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商设备封装:SOD-523
- 包装:带卷 (TR)
BZX585-B3V9,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.9V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.1V @ 100mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:300mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:90 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商设备封装:SOD-523
- 包装:带卷 (TR)
BZX585-B3V9,135详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.9V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.1V @ 100mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:300mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:90 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商设备封装:SOD-523
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 25V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 25V 2% NP0 1206
- 配件 Weidmuller 模块 COND SGNL 35/32 J/K/T/E/N/R/S/B
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.33UF 16V 20% X5R 0603
- RF FET NXP Semiconductors SOT467C TRANS LDMOS SOT467C
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 22PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 25V 10% X7R 1206
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 20POS INLINE W/SKTS
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 4.7UF 16V 10% X5R 0603
- 配件 Weidmuller 模块 COND SGNL 35/32 J/K/T/E/N/R/S/B
- RF FET NXP Semiconductors SOT-608A TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 22PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 50V 20% X7R 1206
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 37POS INLINE W/SKTS