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BUZ73详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

BUZ73 E3046详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：管件

BUZ73 H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

BUZ73 H3046详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

BUZ73A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

BUZ73A E3046详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO-220-3; 包装：管件

ATS111CSM-1E
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 11.0592 MHZ 32.0PF SMD
C1608X5R1H104M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 50V 20% X5R 0603
ATA5753C-6AQY
RF 发射器 Atmel IC TX FRACT-N PLL 315MHZ
BUZ32 E3045A
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
61500291143
其它 3M FINISHING FLAP BRUSH 9A MED
AT27LV256A-70JI
存储器 Atmel 32-LCC（J 形引线） IC OTP 256KBIT 70NS 32PLCC
B32520C474J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
C1608X5R1H105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X5R 0603
61500134053
其它 3M 0603（1608 公制） SE SURFACE DISC 5" A MED
ATS120CSM-1
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 12.0 MHZ 32PF SMD
AT27LV256A-90RI
存储器 Atmel 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽） IC OTP 256KBIT 90NS 28SOIC
61500291150
其它 3M FINISHING FLAP BRUSH 5A MED
61500134145
其它 3M CLEAN & FINISH DISC 5"XNH T
C1608X5R1H105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X5R 0603
B32520C6102J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 1000PF 400VDC RADIAL

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