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BUK9620-100A,118详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6385pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

BUK9620-100B,118详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53.4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5657pF @ 25V; 功率_最大：203W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

BUK9620-100B,118详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53.4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5657pF @ 25V; 功率_最大：203W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

BUK9620-100B,118详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53.4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5657pF @ 25V; 功率_最大：203W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

BUK9620-55A,118详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK; 系列：*; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：*; FET特点：*; 漏极至源极电压333Vdss444：*; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：*; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：*; Id时的Vgs333th444（最大）：*; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：*; 输入电容333Ciss4440a0Vds：*; 功率_最大：*; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

BUK9620-55A,118详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：54A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V; 功率_最大：118W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

B82804A0304A225
专用 EPCOS Inc DO-204AC，DO-15，轴向 TRANSF GATE DRIVE 300UH SMD
744042680
固定式 Wurth Electronics Inc 1919（4848 公制） INDUCTOR POWER 68UH 500MA SMD
BUK961R4-30E,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
C0402C0G1C7R5B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 7.5PF 16V NP0 01005
B43501A3337M67
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 385V
BZW04-31BHE3/73
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，轴向 TVS 400W 31V 5% BIDIR DO-204AL
BZX84C43-7-F
单二极管/齐纳 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 43V 350MW SOT23-3
B78148S1274J
固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 270UH 5%
B82804A0324A220
专用 EPCOS Inc TRANSF GATE DRIVE 317UH SMD
C0402C0G1C7R5D
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 7.5PF 16V NP0 01005
B43501A337M2
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 420V
BZX84C43LT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 43V 225MW SOT-23
BZW04-342-E3/73
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，轴向 TVS 400W 342V 5% UNIDIR DO-204AL
B78148S1333J
固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 33.0UH 5%
B82804A0324A220
专用 EPCOS Inc TRANSF GATE DRIVE 317UH SMD

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