BUJ105A 全国供应商、价格、PDF资料

BUJ105A,127详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 400V 8A TO220AB

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 800mA，4A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：13 @ 500mA，5V

功率_最大：80W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

BUJ105AB,118详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 400V 8A D2PAK

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 800mA，4A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：13 @ 500mA，5V

功率_最大：125W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

BUJ105AD,118详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 400V 8A DPAK

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 800mA，4A

电流_集电极截止（最大）：100µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：13 @ 500mA，5V

功率_最大：80W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：带卷 (TR)