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BST50,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 45V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BST50,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 45V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BST50,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 45V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：Digi-Reel®

BF014I0332K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3300PF 400VDC RADIAL
8-1879660-4
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 90.9K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
BU-13-9
配件 Mueller Electric Co 轴向 INSULATOR FOR BU-11 SERIES WHT
BGA2874,115
其它 NXP Semiconductors 轴向 IC AMP MMIC WIDEBANK SOT363
BSS87 E6433
FET - 单 Infineon Technologies TO-243AA MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
C901U180JYSDAA7317
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 18PF 250V 5% RADIAL
BFC242043903
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.039UF 630VDC RADIAL
BF014I0332K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3300PF 400VDC RADIAL
8-1879662-4
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 73.2 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BGA2874,115
其它 NXP Semiconductors IC AMP MMIC WIDEBANK SOT363
C901U180JYSDAAWL35
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 18PF 250V 5% RADIAL
BF014I0392KDB
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3900PF 400VDC RADIAL
8-1879662-7
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 78.7 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BFC242044302
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 4300PF 630VDC RADIAL
BST52TA
晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89

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