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BSS314PE H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 6.3µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：294pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS314PE H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 6.3µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：294pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS314PE H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 6.3µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：294pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS315P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS315P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS315P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

D38999/26FD97SC-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 12POS SKT
D38999/24JF32HN-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 32POS PIN
D38999/20KJ29HN
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 29POS WALL MNT W/PINS
D38999/20WH53PE
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 53POS WALL MNT W/PINS
BSS314PE H6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
D38999/24WB35SD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 13POS SKT
D38999/26FD97SD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 12POS STRGHT W/SKT
DTS26W23-21BN
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 21POS SKT
D38999/20KJ43PN
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 43POS WALL MNT W/PINS
D38999/26FD97SN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 12POS STRGHT W/SKT
D38999/24WB35SE
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 13POS JAM NUT W/SKT
DTS26W23-21HN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 21POS STRGHT W/PINS
D38999/20KJ4SN
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 56POS WALL MNT W/SCKT
D38999/20WH53PN
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 53POS WALL MNT W/PINS
BSS64,215
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN 80V 100MA SOT23

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