BSS21的供应信息|PDF资料|求购BSS21上51电子网

BSS214N H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS214N H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS214N H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS214N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS214NW L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：PG-SOT323-3; 包装：带卷 (TR)

BSS215P H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BA17812FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 12V 1A TO252-3
BSS209PW
FET - 单 Infineon Technologies SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
C1435ALMAA
配件 Arcolectric SC-70，SOT-323 TEMP MONITOR LOG PNL MNT
BU-29-6
配件 Mueller Electric Co SC-70，SOT-323 INSUL GEOPHONE PVC BLUE 3.5"
AT30TSE752-XM8-B
PMIC - 热管理 Atmel SENSOR DGTL TEMP I2C/SMBUS 8MSOP
B41858C8397M8
电容器 EPCOS Inc 390UF 63V SINGLE END
BQ24168RGER
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRG MGMT LI-ION 24VQFN
BA178M05T
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-3 整包 IC REG LDO 5V .5A TO220FP
AU135C155KA76A
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 1.5UF 50V 10% X7R 1825
C-14442
支架 - 元件 Bud Industries TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 COVER SMALL RACK MOUNT SOLID
AT30TSE754-SS8-T
PMIC - 热管理 Atmel SENSOR DGTL TEMP I2C/SMBUS 8SOIC
BQ24170RGYR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LIION/POLY 24VQFN
AU-14.7456MBE-T
振荡器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 14.7456MHZ 3.3V
BA178M08FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 8V .5A TO252-3
B41858C9127M8
电容器 EPCOS Inc 120UF 100V SINGLE END

BSS21 全国供应商、价格、PDF资料