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BSS192,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 200mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BSS192,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 200mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS192,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 200mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：Digi-Reel®

BSS192,135详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 200mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BSS192P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：Digi-Reel®

BSS192P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：剪切带 (CT)

BU-32-2
配件 Mueller Electric Co 0805（2012 公制） INSULATOR FOR BU-30,30C SRS RED
C1005X5R1V104K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
BZ-2RW82120-A21
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control 0402（1005 公制） SWITCH ROLLER SPDT 15A SCREW
BSS192,135
FET - 单 NXP Semiconductors TO-243AA MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89
B72724A2170S162
TVS - 变阻器，MOV EPCOS Inc 0612（1632 公制） VARISTOR ARRAY 17VRMS 0612
C0805C681F1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 100V 1% NP0 0805
741X163473JP
网络、阵列 CTS Resistor Products 1506（3816 公制），凸起 RES ARRAY 47K OHM 8 RES 1506
BU-32-4
配件 Mueller Electric Co 1506（3816 公制），凸起 INSULATOR PVC YELLOW 1.63"
C1005X5R1V104K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
B72724A2170S162
TVS - 变阻器，MOV EPCOS Inc 0612（1632 公制） VARISTOR ARRAY 17VRMS 0612
741X163560JP
网络、阵列 CTS Resistor Products 1506（3816 公制），凸起 RES ARRAY 56 OHM 8 RES 1506
C0805C681F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 50V 1% NP0 0805
BU-32-5
配件 Mueller Electric Co 0805（2012 公制） INSULATOR PVC GREEN 1.63"
C1005X5R1V104K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
BZ-2RW82255T-S
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control 0402（1005 公制） SWITCH ROLLER SPDT 15A SCREW

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