BSS138LT3G 全国供应商、价格、PDF资料
BSS138LT3G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 欧姆 @ 200mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V
- 功率_最大：225mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
BSS138LT3G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 欧姆 @ 200mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V
- 功率_最大：225mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 1500PF 2KVDC RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC BATT FUEL GAUGE OVP 6SON
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9UF 10V 20% X5R 0805
- 电容器 EPCOS Inc 1500UF 80V 25.4X30 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 200V 5% X7R 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 66.5K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 1800PF 2KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 25V 5% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc 4700UF 80V 35X40 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 52.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON
0755-22655674 
0755-82561519 
010-62962871、 
0755-83242658 
0755-83244680 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-23996734 
0755-82563615 
15112667855 
0755-82578309 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
