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BSS126 E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 欧姆 @ 16mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS126 E6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 欧姆 @ 16mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS126 H6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 欧姆 @ 16mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS126 H6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 欧姆 @ 16mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS126 H6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 欧姆 @ 16mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS126 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 欧姆 @ 16mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

C0805C620J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 100V 5% NP0 0805
741X083102JP
网络、阵列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 0804
B72520T1140S262
TVS - 变阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CT1206S14BAUTOG
BSS126 H6906
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
BZ-2RQ722-A2
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SWITCH PLUNGER SPDT 1A SCREW
C1005X5R1E683K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.068UF 25V 10% X5R 0402
BU-29-9
配件 Mueller Electric Co INSULATOR FOR BU-27 SERIES WHITE
741X083220JP
网络、阵列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 22 OHM 4 RES 0804
C0805C620J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 50V 5% NP0 0805
C1005X5R1H104K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X5R 0402
BU29TA2WNVX-TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 4-UDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.9V .2A 4-SSON
BZ-2RQ785
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control 4-UDFN 裸露焊盘 SWTCH ROLLER PLGR SPDT 15A 250V
741X083330J
网络、阵列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 33 OHM 4 RES 0804
C0805C620J5GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 50V 5% NP0 0805
C1005X5R1H152K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402

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