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BSP41,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：剪切带 (CT)

BSP41,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：Digi-Reel®

BSP41,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 60V 1A SOT-223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：带卷 (TR)