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BSP31,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：剪切带 (CT)

BSP31,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BSP31,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

BSP315P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 1.17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP315P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 1.17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP315P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 1.17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

C440C153J5G5CA7200
陶瓷 Kemet 轴向 CAP CER 0.015UF 50V 5% AXIAL
78F05RAT
DIP Grayhill Inc 轴向 SWITCH DIP RAISED SLIDE 5POS TH
BSP300 E6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
80644024
电机 - AC，DC Crouzet USA TO-261-4，TO-261AA ASYNC MOTOR 220V RAT
C1206C200J5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 20PF 50V 5% NP0 1206
C1005Y5V1E104Z
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0402
7B-20.000MAAE-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 20.000 MHZ 12PF SMD
C440C154K1R5CA7200
陶瓷 Kemet 轴向 CAP CER 0.15UF 100V 10% AXIAL
78F05SRAT
DIP Grayhill Inc 轴向 SWITCH DIP RAISED SLIDE 5POS TH
C1206C200K5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 20PF 50V 10% NP0 1206
806443N001
热收缩套，帽盖 TE Connectivity 1206（3216 公制） BOOT MOLDED STR SIZE 85 W/LIP
C1005Y5V1E224Z
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.22UF 25V Y5V 0402
7B-20.000MAAJ-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 20.000 MHZ 18PF SMD
C440C224M1U5CA7200
陶瓷 Kemet 轴向 CAP CER 0.22UF 100V 20% AXIAL
78F120J
固定式 Bourns Inc. 轴向 CHOKE CONFORMAL COATED 12UH

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