BSP296E6327 全国供应商、价格、PDF资料
BSP296E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:364pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP296E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 1.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:364pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 10% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) THERMOCOUPLE IN/CURRENT OUT
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 120PF 25V 10% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 16V 10% X7R 0805
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC BUFFER NON-INVERTING SC705
- 逻辑 - 锁销 NXP Semiconductors 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽) IC 16BIT D TRANSP LATCH 48SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 10% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) THERMOCOUPLE IN/CURRENT OUT
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 16V 10% X7R 0805
- 逻辑 - 触发器 NXP Semiconductors 60-UFQFN 双排,裸焊盘 IC FLIP-FLOP 16BIT D HUQFN60U
- 逻辑 - 栅极和逆变器 STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC GATE XOR SINGLE SOT323-5
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 20% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) RTD IN / TRANSISTOR OUT
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1200PF 25V 5% NP0 0603