BSO303的供应信息|PDF资料|求购BSO303上51电子网

BSO303P详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1761pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：P-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO303P H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2678pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO303P H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2678pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

BSO303P H详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2678pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO303SP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 8.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

BSO303SP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 8.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

B39901B3835U410
SAW 滤波器 EPCOS Inc LOW LOSS 899.00MHZ
C3216C0G1H103J/0.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 50V 5% NP0 1206
B43505A9397M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 400V
BR24C02-WDW6TP
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8TSSOP
B43505A9477M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 400V
BFC242015102
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 5100PF 630VDC RADIAL
BD4836G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET N-CH OD 3.6V 5SSOP
BGA2776,699
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP MMIC WIDEBAND 6TSSOP
B39921B3588U410W9
SAW 滤波器 EPCOS Inc 6-SMD，无引线 FILTER SAW 915MHZ REMOTE SMD
BR24C02-WMN6TP
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SOIC
BFC242017503
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.075UF 630VDC RADIAL
B43505A9477M62
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 400V
BGA2800,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP MMIC WIDEBAND 6TSSOP
BD4837G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET N-CH OD 3.7V 5SSOP
C3216C0G1H103J/1.15
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 50V 5% NP0 1206

BSO303 全国供应商、价格、PDF资料