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BSO220N03MD G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

BSO220N03MD G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO220N03MD G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO220N03MS G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 8.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO220N03MS G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 8.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO220N03MS G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 8.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

ECA49DTMH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS R/A .125 SLD
D38999/20FJ61PB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/PINS
DMP2305U-7
FET - 单 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23
BSO207P H
FET - 阵列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
BPA05K
DIP C&K Components SWITCH DIP SIDE-ACTUATED 5POS
BRL1608T2R2M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTR 2.2UH 500MA 20% 0603 SMD
D38999/20MJ19AC
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 19POS WALL MT PINS
CMF55328K00BERE
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 328K OHM 1/2W .1% AXIAL
D38999/20FJ61PBLC
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 61POS WALL MT PINS
BPA07SK
DIP C&K Components SWITCH DIP SIDE-ACT SMD 7POS
DMP3010LPS-13
FET - 单 Diodes Inc 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
BRL1608T3R3M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTR 3.3UH 390MA 20% 0603 SMD
CMF5532K000DHEA
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 32K OHM 1/2W .5% AXIAL
D38999/20MJ19BA
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 19POS WALL MT SCKT
D38999/20FJ61PC
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 61POS WALL MNT W/PINS

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