BSO201SP的供应信息|PDF资料|求购BSO201SP上51电子网

BSO201SP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

BSO201SP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：P-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO201SP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：P-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO201SP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

BSO201SP H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：88nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO201SP H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：88nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

CA3106R36-12PF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 48POS INLINE W/PINS
CA3102E14S-5PB
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5 POS BOX MNT W/PINS
CA3100F16S-8PBF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
BSO200P03S H
FET - 单 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8
C0805C470JDGACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 1KV 5% NP0 0805
CA3106R36-12PF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 48POS INLINE W/PINS
CA3101E16-10SXB
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS INLINE W/SKTS
CA3100E24-10PB05-15
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS WALL MNT W/PINS
CA3102E14S-5PB04A176
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
C0805C470JDGACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 1KV 5% NP0 0805
CA3101E16-11SF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS INLINE W/SKTS
CA3106R36-14SB
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS INLINE W/SKTS
CA3100E24-10PF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS WALL MNT W/PINS
CA06FW14S-6SWB01
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS INLINE W/SKTS
CA3102E14S-5PB04A176
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS

BSO201SP 全国供应商、价格、PDF资料