ZXTN2020F 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTN2020FTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：1.2W

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：带卷 (TR)

ZXTN2020FTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：1.2W

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：Digi-Reel®

ZXTN2020FTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：1.2W

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：剪切带 (CT)