ZXTDAM832 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTDAM832TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN DUAL LOSAT 15V 8-MLP

系列：-

制造商：Diodes/Zetex

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：4.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：15V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：280mV @ 50mA，4.5A

电流_集电极截止（最大）：25nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 3A，2V

功率_最大：1.7W

频率_转换：120MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-MLP

供应商设备封装：8-MLP（3x2）

包装：带卷 (TR)

ZXTDAM832TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN DUAL LOSAT 15V 8-MLP

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：4.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：15V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：280mV @ 50mA，4.5A

电流_集电极截止（最大）：25nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 3A，2V

功率_最大：1.7W

频率_转换：120MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-MLP

供应商设备封装：8-MLP（3x2）

包装：剪切带 (CT)

ZXTDAM832TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS NPN DUAL LOSAT 15V 8-MLP

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：4.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：15V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：280mV @ 50mA，4.5A

电流_集电极截止（最大）：25nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 3A，2V

功率_最大：1.7W

频率_转换：120MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-MLP

供应商设备封装：8-MLP（3x2）

包装：带卷 (TR)