ZXTC2063E6 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTC2063E6TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL 40V 1A SOT23-6

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3.5A，3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：195mV @ 350mA，3.5A / 175mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V / 200 @ 1A，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：190MHz，270MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

包装：带卷 (TR)

ZXTC2063E6TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL 40V 1A SOT23-6

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3.5A，3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：195mV @ 350mA，3.5A / 175mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V / 200 @ 1A，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：190MHz，270MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

包装：Digi-Reel®

ZXTC2063E6TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL 40V 1A SOT23-6

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3.5A，3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：195mV @ 350mA，3.5A / 175mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V / 200 @ 1A，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：190MHz，270MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

包装：剪切带 (CT)